Samsung Electronics Co. объявила о планах по созданию чипов памяти следующего поколения, которые удвоят скорость существующих технологий и обеспечат самую большую емкость — модули памяти DDR5 объемом 512 ГБ (Double Data Rate 5).
Карты DDR5 будут в два раза быстрее, чем текущие DDR4, при этом сократится утечка и они будут потреблять примерно на 13% меньше энергии.
Samsung ожидает, что переход на DDR5 начнется во второй половине этого года. Полная смена DDR4 на DDR5 произойдет во второй половине 2023 года. По оценкам аналитиков, чипы DDR5 будут примерно на 20% больше, чем детали DDR4, что приведет к увеличению давления на цепочки поставок полупроводников.
“Поскольку уровень проникновения DDR5 постепенно растет, дефицит DRAM, как ожидается, сохранится и в 2022 году”, — сказала Аврил Ву, вице-президент TrendForce Research. “Мы также ожидаем, что на начальном этапе произойдет повышение цен на 30-40%”.